14. 温控策略与测试操作指南¶
本文档说明在 CV184x 平台上查看 CPU/TPU 时钟与温度、温控策略与 trip 对应关系、迟滞（hysteresis）含义、模拟温度测试步骤，以及在设备树中修改温控阈值与迟滞的方法。
14.1. 操作准备¶
1. 内核要求
使用 SDK 提供的内核，并确保内核配置中已开启
CONFIG_THERMAL_EMULATION=y（进行模拟温度测试时需开启，否则emul_temp写入无效，不会驱动温控逻辑）。
14.2. 操作流程¶
14.2.1. 查看 CPU/TPU 时钟¶
cat /sys/kernel/debug/clk/clk_summary | grep -E '\b(clk_cpu|clk_tpu)\b'
会显示 CPU 和 TPU 的当前频率。
14.2.2. 查看当前温度¶
cat /sys/class/thermal/thermal_zone0/temp
单位为 millicelsius （毫摄氏度），例如 90000 表示 90°C。
14.2.3. 温控策略（与 trip 对应关系）¶
温控通过 thermal zone 的 trip 与 cooling device 档位 绑定；档位对应的 CPU/TPU 频率 由 cv184x_cooling 节点的 dev-freqs 决定（该节点定义于 build/boards/default/dts/cv184x_arm/cv184x_base_arm.dtsi）。
温度区间 |
CPU 频率 (Hz) |
TPU 频率 (Hz) |
说明 |
|---|---|---|---|
tmp < 90°C |
1000000000 |
500000000 |
未触发第一档 passive trip，cooling state 0 |
90 ≤ tmp < 100°C |
500000000 |
375000000 |
触发 trip_0，cooling state 1 |
100 ≤ tmp < 120°C |
500000000 |
300000000 |
触发 trip_1，cooling state 2 |
tmp ≥ 120°C |
— |
— |
强制关机 （critical trip） |
若板级或 SoC 的 dev-freqs 与上表不完全一致，以 build/boards/default/dts/cv184x_arm/cv184x_base_arm.dtsi 中 cv184x_cooling { dev-freqs = ... } 及实际 clk_summary 为准。默认 ARM 侧 DTS 常见为三档：(1100M,750M) / (500M,375M) / (500M,300M)，与 cooling state 0/1/2 一一对应。
14.2.4. 迟滞（hysteresis）说明¶
hysteresis 用于 降温升频 时不立刻在阈值处反复横跳，减少频率抖动。
单位与
temperature相同，为 millicelsius。典型配置：5000 即 5°C 迟滞。
升档（降频）：温度 ≥ trip 的
temperature时进入该档。降档（升频）：温度需 低于
temperature - hysteresis才会退出该档。
示例 （第一档 trip 90°C、迟滞 5°C）：
从 91°C 降到 89°C：仍保持 降频档（未低于 90-5=85°C，不升频）。
继续降到 84°C：低于 85°C 后退出第一档，频率恢复到高档。
第二档同理：若 trip 为 100°C、迟滞 5°C，则需降到 95°C 以下 才会从第二档回到第一档。
14.3. 操作示例¶
14.3.1. 模拟温度测试步骤¶
14.3.2. 基线¶
cat /sys/class/thermal/thermal_zone0/temp
cat /sys/kernel/debug/clk/clk_summary | grep -E '\b(clk_cpu|clk_tpu)\b'
14.3.3. 模拟到 90°C（应进入第一档降频）¶
echo 90000 > /sys/class/thermal/thermal_zone0/emul_temp
cat /sys/kernel/debug/clk/clk_summary | grep -E '\b(clk_cpu|clk_tpu)\b'
14.3.4. 模拟到 100°C（应进入第二档降频）¶
echo 100000 > /sys/class/thermal/thermal_zone0/emul_temp
cat /sys/kernel/debug/clk/clk_summary | grep -E '\b(clk_cpu|clk_tpu)\b'
14.3.5. 模拟降到 95°C（有迟滞，频率应保持第二档不变）¶
echo 95000 > /sys/class/thermal/thermal_zone0/emul_temp
cat /sys/kernel/debug/clk/clk_summary | grep -E '\b(clk_cpu|clk_tpu)\b'
14.3.6. 模拟降到 94°C（低于迟滞退档边界，应升回第一档或高档，视策略而定）¶
echo 94000 > /sys/class/thermal/thermal_zone0/emul_temp
cat /sys/kernel/debug/clk/clk_summary | grep -E '\b(clk_cpu|clk_tpu)\b'
若以 100°C/5°C 迟滞为准，需低于 95°C 才退出第二档；具体以当前 DTS 中 soc_thermal_trip_1 的 temperature 与 hysteresis 为准。
14.3.7. 模拟到 120°C（触发 critical，强制关机）¶
echo 120000 > /sys/class/thermal/thermal_zone0/emul_temp
设备将按内核 thermal critical 行为执行关机或复位，请勿 在生产环境随意执行。
14.3.8. 在设备树中修改温控阈值、关机温度与迟滞¶
默认定义在 build/boards/default/dts/cv184x/cv184x_base.dtsi 的 thermal-zones → soc_thermal_0 → trips 中：
节点标签 |
默认 temperature |
默认 hysteresis |
type |
作用 |
|---|---|---|---|---|
|
90000 (90°C) |
5000 (5°C) |
passive |
第一档降频 trip |
|
100000 (100°C) |
5000 (5°C) |
passive |
第二档降频 trip |
|
120000 (120°C) |
0 |
critical |
关机/临界温度 |
不推荐直接改默认基线 DTS，以免影响其它板型：
build/boards/default/dts/cv184x/cv184x_base.dtsi
应在 板级 DTS 里覆盖同名 trip 属性（板名替换为实际板卡名）：
build/boards/cv184x/板名/dts_arm/板名.dts使用
&label进行 覆盖。
14.3.9. 板级覆盖示例¶
在对应板子的板级 DTS（路径一般为 build/boards/cv184x/板名/dts_arm/板名.dts）末尾增加：
/ {
};
/* 覆盖 base 中 thermal trip：temperature/hysteresis 均为 millicelsius */
&soc_thermal_trip_0 {
temperature = <90000>; /* 第一档触发温度，例如 90°C */
hysteresis = <5000>; /* 5°C 迟滞，降到此 trip 以下 5°C 才升频退档 */
};
&soc_thermal_trip_1 {
temperature = <100000>; /* 第二档触发温度，例如 100°C */
hysteresis = <5000>;
};
&soc_thermal_crtical_0 {
temperature = <120000>; /* shutdown 温度，例如 120°C；type 保持 critical */
hysteresis = <0>;
};
修改后重新编译设备树并更新镜像，cooling-maps 仍指向同一 trip 标签，无需改 map，仅 trip 阈值变化。
14.4. 相关文件索引¶
文件路径 |
说明 |
|---|---|
|
默认 thermal-zones、trip、cooling-maps |
|
cv184x_cooling 与 dev-freqs |
|
cooling 档位与 clk_set_rate 实现 |
板级 |
用 |